气相沉积分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积( PVD 21%)两大类，以及兼有两种工艺特点的等离子化学气相沉积法PeCVD（31%），和CVD变形工艺原子沉积技术ALD（13%）。

PVD镀膜设备	真空蒸镀 EPVD
	离子镀 PaPVD	电弧离子镀
		（纳狮 磁控溅射离子镀）
	溅射镀 SPVD	磁控溅射镀
		HiPIMS(高功率脉冲磁控溅射)
CVD镀膜设备	常压CVD-NPCVD
	低压CVD-LPCVD
	激光CVD-LCVD
	金属有机化合物CVD-MOCVD
PeCVD镀膜设备
ALD原子沉积设备

ALD、PVD与CVD真空镀膜工艺特点比较

对于有纳米级别膜厚需求而言，原子层沉积除了其沉积速率较慢外，其他优点是传统的PVD和CVD技术所无可比拟的。对于不断缩微化的硅集成电路材料，其使用材料的几何厚度已低达1nm，这时沉积速率慢的缺点就不再是主要矛盾，而精确的薄膜厚度和成分控制、优秀的表面覆盖率和沉积均匀性更重要。

	(原子层沉积)ALD	(物理气相沉积)PVD	(化学气相沉积)CVD
沉积原理	表面反应-沉积	蒸发-凝固	气相反应-沉积
沉积过程	层状生长	形核长大	形核长大
台阶覆盖率	优秀	一般	好
沉积速率	慢	快	快
沉积温度	低	低	高
沉积层均匀性	优秀	一般	较好
厚度控制	反应循环次数	沉积时间	沉积时间，气相分压
成分	均匀，杂质少	无杂质	易含杂质，夹杂

PVD与CVD工艺比较

几种CVD设备的主要技术规格